IXSP15N120B

IXYS Semiconductor 分立器件

IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds

IGBT 1200V 30A 150W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 1200V 30A 150W TO220AB

贸泽:
IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB

IXSP15N120B中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXSP15N120B引脚图与封装图

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