IXSH15N120BD1

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 30A 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT PT 1200V 30A 150W Through Hole TO-247AD IXSH

得捷:
IGBT 1200V 30A 150W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXSH15N120BD1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 30 ns

额定功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXSH15N120BD1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXSH15N120BD1

型号	制造商	描述	购买
IXSH15N120BD1	IXYS Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 30A 3Pin3+Tab TO-247AD	搜索库存