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IXGH20N60
IXYS Semiconductor 分立器件

IGBT 600V 40A 150W TO247AD

Low VCEsat IGBT High speed IGBT

Features

l International standard packages

l 2nd generation HDMOSTM process

l Low VCEsat

  - for low on-state conduction losses

l High current handling capability

l MOS Gate turn-on

  - drive simplicity

l Voltage rating guaranteed at high temperature 125°C

Applications

l AC motor speed control

l DC servo and robot drives

l DC choppers

l Uninterruptible power supplies UPS

l Switch-mode and resonant-mode power supplies

IXGH20N60中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGH20N60引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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替代型号IXGH20N60
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXGH20N60

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

当前型号

IGBT 600V 40A 150W TO247AD

当前型号

型号: IXGH36N60A3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 220000mW

类似代替

Trans IGBT Chip N-CH 600V 36A 220000mW 3Pin3+Tab TO-247

IXGH20N60和IXGH36N60A3的区别