IXGH20N60
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 150 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXGH20N60 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 当前型号 | IGBT 600V 40A 150W TO247AD | 当前型号 | |
型号: IXGH36N60A3 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 220000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 36A 220000mW 3Pin3+Tab TO-247 | IXGH20N60和IXGH36N60A3的区别 |