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IXGT40N60C2

IXGT40N60C2

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin2+Tab TO-268

Features

Very high frequency IGBT

Square RBSOA

High current handling capability

MOS Gate turn-on

  - drive simplicity

Applications

PFC circuits

Uninterruptible power supplies UPS

Switched-mode and resonant-mode power supplies

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers


得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO268


贸泽:
IGBT Transistors 40 Amps 600V 2.7 V Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin2+Tab TO-268


IXGT40N60C2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGT40N60C2引脚图与封装图
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