IXGH15N120C
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH15N120C中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 150 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH15N120C引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXGH15N120C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH15N120C | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 30A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |