IXSK30N60CD1

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3Pin3+Tab TO-264AA

IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-264AAIXSK

得捷:
IGBT 600V 55A 200W TO264

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3-Pin3+Tab TO-264AA

Win Source:
IGBT 600V 55A 200W TO264

IXSK30N60CD1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXSK30N60CD1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXSK30N60CD1

型号	制造商	描述	购买
IXSK30N60CD1	IXYS Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3Pin3+Tab TO-264AA	搜索库存