IXGT30N60C2D1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGT30N60C2D1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 25 ns
额定功率Max 190 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGT30N60C2D1引脚图与封装图
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在线购买IXGT30N60C2D1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGT30N60C2D1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXGT30N60C2D1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGT30N60C2D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin2+Tab TO-268 | 当前型号 |
| 型号： IXGH30N60C2D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 190000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | IXGT30N60C2D1和IXGH30N60C2D1的区别 |