IXSH50N60B
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXSH50N60B中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXSH50N60B引脚图与封装图
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在线购买IXSH50N60B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXSH50N60B | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 250000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXSH50N60B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXSH50N60B 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 250000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 250000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
| 型号： IXXH50N60B3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 类似代替 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A IC, 600V VBRCES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3Pin | IXSH50N60B和IXXH50N60B3的区别 |