IXGT30N60B2D1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGT30N60B2D1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 25 ns
额定功率Max 190 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGT30N60B2D1引脚图与封装图
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在线购买IXGT30N60B2D1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGT30N60B2D1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXGT30N60B2D1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGT30N60B2D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin2+Tab TO-268 | 当前型号 |
| 型号： IXGT30N120B3D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-3 | 类似代替 | IGBT 分立，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | IXGT30N60B2D1和IXGT30N120B3D1的区别 |