IXST30N60BD1

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3Pin2+Tab TO-268AA

IGBT 600V 55A 200W Surface Mount TO-268

得捷:
IGBT 600V 55A 200W TO268

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3-Pin2+Tab TO-268AA

IXST30N60BD1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXST30N60BD1引脚图与封装图

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