IXGT30N60B2

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin2+Tab TO-268

Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching

Features

Medium frequency IGBT

Square RBSOA

High current handling capability

MOS Gate turn-on

\- drive simplicity

得捷:
IGBT 600V 70A 190W TO268

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin2+Tab TO-268

IXGT30N60B2中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 190 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGT30N60B2引脚图与封装图

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