IXGA16N60B2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGA16N60B2中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 150 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 9.9 mm
宽度 9.2 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGA16N60B2引脚图与封装图
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在线购买IXGA16N60B2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGA16N60B2 | IXYS Semiconductor | IGBT 600V 40A 150W TO263 | 搜索库存 |
替代型号IXGA16N60B2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGA16N60B2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 | 当前型号 | IGBT 600V 40A 150W TO263 | 当前型号 |
| 型号： IXGA20N120B3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 180000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 180000mW 3Pin2+Tab D2PAK | IXGA16N60B2和IXGA20N120B3的区别 |