IXGP16N60B2D1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 30 ns
额定功率Max 150 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXGP16N60B2D1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin3+Tab TO-220 | 搜索库存 |