ISL9V2540S3ST
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
ISL9V2540S3ST中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 166700 mW
击穿电压集电极-发射极 430 V
额定功率Max 166.7 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 166.7 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
ISL9V2540S3ST引脚图与封装图
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在线购买ISL9V2540S3ST
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL9V2540S3ST | Fairchild 飞兆/仙童 | 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | 搜索库存 |
替代型号ISL9V2540S3ST
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL9V2540S3ST 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： D2PAK-3 166700mW | 当前型号 | 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | 当前型号 |
| 型号： ISL9V2540S3S 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263-3 | 完全替代 | EcoSPARK N沟道IGBT点火 EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT | ISL9V2540S3ST和ISL9V2540S3S的区别 |