IXGC16N60B2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGC16N60B2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 63000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 63 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-220
外形尺寸
高度 16 mm
封装 ISOPLUS-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGC16N60B2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGC16N60B2 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 63000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 220 | 搜索库存 |