IXGH40N60B2D1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH40N60B2D1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 25 ns
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH40N60B2D1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXGH40N60B2D1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH40N60B2D1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
替代型号IXGH40N60B2D1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGH40N60B2D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 |
| 型号： IXGH48N60B3D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 300000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247 | IXGH40N60B2D1和IXGH48N60B3D1的区别 |
| 型号： IGW60T120 品牌： 英飞凌 封装： TO-247-3 | 功能相似 | INFINEON IGW60T120 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.4 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚 | IXGH40N60B2D1和IGW60T120的区别 |
| 型号： IGW40T120 品牌： 英飞凌 封装： TO-247-3 | 功能相似 | INFINEON IGW40T120 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚 | IXGH40N60B2D1和IGW40T120的区别 |