IXGH30N60C2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH30N60C2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 190000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 190 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH30N60C2引脚图与封装图
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在线购买IXGH30N60C2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH30N60C2 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 190000mW 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
替代型号IXGH30N60C2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGH30N60C2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 190000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 190000mW 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 |
| 型号： IXYH30N120C3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 500000mW | 类似代替 | IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCEsat 方形反向偏置安全工作区域 RBSOA 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | IXGH30N60C2和IXYH30N120C3的区别 |