IXGH10N100U1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH10N100U1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 20.0 A
击穿电压集电极-发射极 1000 V
反向恢复时间 60 ns
额定功率Max 100 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IXGH10N100U1引脚图与封装图
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| IXGH10N100U1 | IXYS Semiconductor | IGBT 1000V 20A 100W TO247AD | 搜索库存 |