IXGK50N60B
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
额定电压DC 600 V
额定电流 75.0 A
上升时间 50.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 300 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXGK50N60B | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab TO-264AA | 搜索库存 |