IXGH50N60B
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH50N60B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 75.0 A
额定功率 250 W
耗散功率 300000 mW
上升时间 50.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH50N60B引脚图与封装图
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在线购买IXGH50N60B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH50N60B | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |