IXGH32N60C
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH32N60C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 60.0 A
额定功率 200 W
耗散功率 200000 mW
上升时间 20.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH32N60C引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXGH32N60C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH32N60C | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXGH32N60C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGH32N60C 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 600V 60A 200000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
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