IXGH24N60C
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH24N60C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 48.0 A
耗散功率 150000 mW
上升时间 25.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 150 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH24N60C引脚图与封装图
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在线购买IXGH24N60C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH24N60C | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXGH24N60C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGH24N60C 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 600V 48A 150000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
| 型号： IXYH24N90C3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 240000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 900V 46A 240000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247 | IXGH24N60C和IXYH24N90C3的区别 |