IS43LD16640A-25BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx16, 400MHz, 134 ball BGA 10mmx11.5mm RoHS, IT, T&R

SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb 64M x 16 Parallel 400MHz 134-TFBGA 10x11.5

得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA

贸泽:
DRAM 1G 1.2/1.8V 64Mx16 400MHz 134ball BGA

艾睿:
DRAM Chip Mobile LPDDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.2V/1.8V 134-Pin TFBGA

IS43LD16640A-25BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 2.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.14V ~ 1.95V

电源电压Max 1.95 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 134

封装 BGA-134

外形尺寸

封装 BGA-134

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS43LD16640A-25BLI-TR引脚图与封装图

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IS43LD16640A-25BLI-TR	Integrated Silicon SolutionISSI	1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx16, 400MHz, 134 ball BGA 10mmx11.5mm RoHS, IT, T&R	搜索库存