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IS42S32160D-6BI

IS42S32160D-6BI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16M x 32 3.3V 90Pin TFBGA

SDRAM 存储器 IC 512Mb(16M x 32) 并联 166 MHz 5.4 ns 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


IS42S32160D-6BI中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 6ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

IS42S32160D-6BI引脚图与封装图
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IS42S32160D-6BI Integrated Silicon SolutionISSI DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16M x 32 3.3V 90Pin TFBGA 搜索库存