IS43LR32800F-6BLI
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
供电电流 110 mA
位数 32
存取时间 6 ns
存取时间Max 8ns, 5.5ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V
安装方式 Surface Mount
引脚数 90
封装 TFBGA-90
封装 TFBGA-90
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS43LR32800F-6BLI | Integrated Silicon SolutionISSI | 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IS43LR32800F-6BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 当前型号 | 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器 | 当前型号 | |
型号: IS43LR32800G-6BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 类似代替 | 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT | IS43LR32800F-6BLI和IS43LR32800G-6BLI的区别 |