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IS43LR32800F-6BLI

IS43LR32800F-6BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器


艾睿:
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA


Win Source:
IC DDR 256M 166MHZ 90BGA


IS43LR32800F-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 110 mA

位数 32

存取时间 6 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS43LR32800F-6BLI引脚图与封装图
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS43LR32800F-6BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器

当前型号

型号: IS43LR32800G-6BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

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