IS43DR86400C-3DBI
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
电子元器件分类
存取时间 3 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
安装方式 Surface Mount
封装 TFBGA-60
封装 TFBGA-60
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
RoHS标准
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS43DR86400C-3DBI | Integrated Silicon SolutionISSI | 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz DDR2 | 搜索库存 |