IS61NVF51236B-6.5B3LI

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5V - I/O,165 Ball BGA, RoHS

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 133MHz 6.5ns 165-TFBGA 13x15

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IS61NVF51236B 6.5B3LI

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IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

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SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v - I/O,165 Ball BGA, RoHS

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512K X36 And 1024K X18 18MB, Flow Through No Wait State Bus Synchronous SRAM

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IS61NVF51236B-6.5B3LI

IS61NVF51236B-6.5B3LI中文资料参数规格

技术参数

存取时间 6.5 ns

电源电压 2.375V ~ 2.625V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 TBGA-165

外形尺寸

封装 TBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IS61NVF51236B-6.5B3LI引脚图与封装图

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IS61NVF51236B-6.5B3LI	Integrated Silicon SolutionISSI	SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5V - I/O,165 Ball BGA, RoHS	搜索库存