IS61NLF25636A-7.5B2I-TR

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

静态随机存取存储器 8M 256Kx36 7.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v

SRAM - 同步，SDR 存储器 IC 9Mb（256K x 36）并联 117 MHz 7.5 ns 119-PBGA（14x22）

得捷:
IC SRAM 9MBIT PAR 117MHZ 119PBGA

贸泽:
静态随机存取存储器 8M 256Kx36 7.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v

安富利:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-Bit 256K x 36 7.5ns 119-Pin P-BGA T/R

IS61NLF25636A-7.5B2I-TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

封装 BBGA-119

外形尺寸

封装 BBGA-119

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

IS61NLF25636A-7.5B2I-TR引脚图与封装图

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