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IS61LPS12836A-200B2LI

IS61LPS12836A-200B2LI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

静态随机存取存储器 4M 128Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 4.5Mb 128K x 36 Parallel 200MHz 3.1ns 119-PBGA 14x22


得捷:
IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 4M 128Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v


艾睿:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 4.5M-bit 128K x 36 3.1ns 119-Pin BGA


Verical:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 4.5M-bit 128K x 36 3.1ns 119-Pin BGA


IS61LPS12836A-200B2LI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.47 V max

时钟频率 200MHz max

位数 36

存取时间 3.1 ns

存取时间Max 3.1 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 119

封装 BGA-119

外形尺寸

封装 BGA-119

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS61LPS12836A-200B2LI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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替代型号IS61LPS12836A-200B2LI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS61LPS12836A-200B2LI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA 3.3V

当前型号

静态随机存取存储器 4M 128Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

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型号: IS61LPS12836A-200B2I

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA 3.3V

完全替代

静态随机存取存储器 4M 128Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

IS61LPS12836A-200B2LI和IS61LPS12836A-200B2I的区别