IS45S32200E-6BLA1

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 13 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

SDRAM 存储器 IC 64Mb（2M x 32）并联 90-TFBGA（8x13）

得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V Automotive 90-Pin TFBGA

IS45S32200E-6BLA1中文资料参数规格

技术参数

位数 32

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS45S32200E-6BLA1引脚图与封装图

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IS45S32200E-6BLA1	Integrated Silicon SolutionISSI	Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 13 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90	搜索库存