IS43LR32100C-6BL
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
电子元器件分类
IS43LR32100C-6BL中文资料参数规格
技术参数
电源电压 1.7V ~ 1.95V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TFBGA-90
外形尺寸
封装 TFBGA-90
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
IS43LR32100C-6BL引脚图与封装图
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在线购买IS43LR32100C-6BL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS43LR32100C-6BL | Integrated Silicon SolutionISSI | DRAM Chip Mobile DDR SDRAM 32M-Bit 1M x 32 1.8V 90Pin TFBGA | 搜索库存 |
替代型号IS43LR32100C-6BL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS43LR32100C-6BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA | 当前型号 | DRAM Chip Mobile DDR SDRAM 32M-Bit 1M x 32 1.8V 90Pin TFBGA | 当前型号 |
| 型号： IS43LR32100C-6BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA | 功能相似 | IC DDR 32M 166MHz 90BGA | IS43LR32100C-6BL和IS43LR32100C-6BLI的区别 |
| 型号： IS43LR32100D-6BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： | 功能相似 | 32m, 1.8V, Mobile Ddr, 1mx32, 166MHz, 90 Ball Bga 8mmx13mm Rohs | IS43LR32100C-6BL和IS43LR32100D-6BL的区别 |