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IS43LR32200B-6BLI-TR

IS43LR32200B-6BLI-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166MHz MDDR 1.8v

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 64Mb 2M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166MHz MDDR 1.8v


IS43LR32200B-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS43LR32200B-6BLI-TR引脚图与封装图
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IS43LR32200B-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166MHz MDDR 1.8v 搜索库存
替代型号IS43LR32200B-6BLI-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS43LR32200B-6BLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166MHz MDDR 1.8v

当前型号

型号: IS43LR32200C-6BLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装:

功能相似

动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-DDR 2Mx32, 166Mhz, RoHS

IS43LR32200B-6BLI-TR和IS43LR32200C-6BLI-TR的区别