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IHW30N90R
Infineon(英飞凌) 分立器件

逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

IGBT Trench Field Stop 900V 60A 454W Through Hole PG-TO247-3


得捷:
IGBT 900V 60A 454W TO247-3


贸泽:
IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 900V 30A


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
IGBT 900V 60A 454W TO247-3


IHW30N90R中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 454 W

击穿电压集电极-发射极 900 V

额定功率Max 454 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 454 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.03 mm

宽度 5.16 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IHW30N90R引脚图与封装图
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IHW30N90R Infineon 英飞凌 逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode 搜索库存
替代型号IHW30N90R
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IHW30N90R

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-247-3

当前型号

逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

当前型号

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封装: REEL 333000mW

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