IS63LV1024L-12BI-TR
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
IS63LV1024L-12BI-TR中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.45 V max
存取时间 12 ns
内存容量 1000000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 3.15V ~ 3.45V
电源电压Max 3.45 V
电源电压Min 3.15 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MBGA-36
外形尺寸
封装 MBGA-36
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
IS63LV1024L-12BI-TR引脚图与封装图
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在线购买IS63LV1024L-12BI-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS63LV1024L-12BI-TR | Integrated Silicon SolutionISSI | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 12ns 36Pin TFBGA T/R | 搜索库存 |
替代型号IS63LV1024L-12BI-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS63LV1024L-12BI-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： mBGA-36 1000000B 3.3V 12ns | 当前型号 | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 12ns 36Pin TFBGA T/R | 当前型号 |
| 型号： IS63LV1024L-12BLI-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： mBGA-36 1000000B 3.3V 12ns | 类似代替 | 静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 12ns 3.3v Async 静态随机存取存储器 3.3v | IS63LV1024L-12BI-TR和IS63LV1024L-12BLI-TR的区别 |