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IS62WV2568BLL-70BI

IS62WV2568BLL-70BI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

静态随机存取存储器 2Mb 256Kx8 70ns Async 静态随机存取存储器

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb 256K x 8 Parallel 70ns 36-TFBGA 6x8


得捷:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 2Mb 256Kx8 70ns Async 静态随机存取存储器


安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 256K x 8 70ns 36-Pin Mini-BGA


Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-bit 256K x 8 70ns 36-Pin Mini-BGA


Win Source:
256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | IC SRAM 2M PARALLEL 36MINIBGA


IS62WV2568BLL-70BI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

存取时间 70 ns

内存容量 2000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 36

封装 BGA-36

外形尺寸

封装 BGA-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

IS62WV2568BLL-70BI引脚图与封装图
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