IP4221CZ6-S,115
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NXP
恩智浦
分立器件
IP4221CZ6-S,115中文资料参数规格
技术参数
电容 1.2 pF
击穿电压 9 V
最小反向击穿电压 6 V
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 XFDFN-6
外形尺寸
长度 1.05 mm
宽度 1.05 mm
高度 0.46 mm
封装 XFDFN-6
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IP4221CZ6-S,115引脚图与封装图
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在线购买IP4221CZ6-S,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IP4221CZ6-S,115 | NXP 恩智浦 | USB 2.0 ESD 保护 TVS 二极管阵列 瞬态电压抑制器二极管阵列，可用于保护输入/输出 I/O 端口，例如 USB 2.0、以太网、DVI 等。该阵列使用超低电容轨对轨二极管以及齐纳二极管钳位实施过电压和 ESD 保护。 ### 瞬态电压抑制器，NXP | 搜索库存 |
替代型号IP4221CZ6-S,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IP4221CZ6-S,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT886 | 当前型号 | USB 2.0 ESD 保护 TVS 二极管阵列瞬态电压抑制器二极管阵列，可用于保护输入/输出 I/O 端口，例如 USB 2.0、以太网、DVI 等。该阵列使用超低电容轨对轨二极管以及齐纳二极管钳位实施过电压和 ESD 保护。### 瞬态电压抑制器，NXP | 当前型号 |
| 型号： IP4221CZ6-S 品牌： 恩智浦 封装： | 完全替代 | NXP IP4221CZ6-S 静电保护装置, SOT-886, 6 引脚, 3 V | IP4221CZ6-S,115和IP4221CZ6-S的区别 |