额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SC-74-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IMH10AT110引脚图
IMH10AT110封装图
IMH10AT110封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IMH10AT110 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | IMH10A 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN 数字晶体管 - SC-74 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IMH10AT110 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOT-457 NPN 50V 100mA | 当前型号 | IMH10A 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN 数字晶体管 - SC-74 | 当前型号 | |
型号: IMH10A 品牌: 罗姆半导体 封装: SMT NPN | 类似代替 | IMH10A NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 300mW/0.3W SOT-163/SMT6/SC-74 标记H10 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路 | IMH10AT110和IMH10A的区别 | |
型号: IMH11AT108 品牌: 罗姆半导体 封装: | 类似代替 | SMT NPN 50V 100mA | IMH10AT110和IMH11AT108的区别 |