IMD10AT108
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
IMD10AT108中文资料参数规格
技术参数
额定电流 100 mA
额定功率 0.3 W
通道数 2
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA/500mA
最小电流放大倍数hFE 100
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SC-74-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IMD10AT108引脚图与封装图 
IMD10AT108引脚图
IMD10AT108封装图
IMD10AT108封装焊盘图
在线购买IMD10AT108
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IMD10AT108 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | IMD10A 系列 50 V 500 mA 表面贴装 双 NPN/PNP 数字晶体管 - SC-74 | 搜索库存 |
替代型号IMD10AT108
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IMD10AT108 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-457 NPN PNP 100mA 300mW | 当前型号 | IMD10A 系列 50 V 500 mA 表面贴装 双 NPN/PNP 数字晶体管 - SC-74 | 当前型号 |
| 型号： IMD16AT108 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-457 NPN 50V 500mA 0.3W | 类似代替 | NPN+PNP 晶体管，ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | IMD10AT108和IMD16AT108的区别 |
| 型号： IMD6AT108 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-457 NPN 100mA 300mW | 类似代替 | IMD6A 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN/PNP 数字晶体管 - SC-74 | IMD10AT108和IMD6AT108的区别 |
| 型号： UMD3NTR 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-363 NPN 50mA 150mW | 功能相似 | UMD2N 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN/PNP 数字晶体管 - SC-88 | IMD10AT108和UMD3NTR的区别 |