GP210
数据手册.pdf
Cornell Dubilier ElectronicsCDE
电子元器件分类
GP210中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1000 V
电容 0.001 µF
容差 ±10 %
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -30 ℃
额定电压 1000 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚间距 6.40 mm
外形尺寸
直径 Φ7.40mm
引脚间距 6.40 mm
物理参数
材质 Y5P
工作温度 -30℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
GP210引脚图与封装图
暂无图片
替代型号GP210
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： GP210 品牌： Cornell Dubilier ElectronicsCDE 封装： | 当前型号 | 瓷片电容器 1000V 1000pF DISC | 当前型号 |
| 型号： NCD102K1KVY5FF 品牌： NIC 封装： | 类似代替 | NCD 系列 Y5F 1000 pF 1 kV ±10 % 容差 径向 陶瓷 盘式电容 | GP210和NCD102K1KVY5FF的区别 |
| 型号： RL207-T 品牌： Rectron Semiconductor 封装： DO-204AC | 类似代替 | DIODE GEN PURP 1kV 2A DO15 | GP210和RL207-T的区别 |
| 型号： 562R10TSD10 品牌： 威世 封装： Radial 1nF 1kV ±10% | 功能相似 | 陶瓷圆盘电容, 562R10TSD10 | GP210和562R10TSD10的区别 |