GT50J121Q

Toshiba 东芝分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3Pin3+Tab TO-3PL

IGBT - 通孔 TO-3P（LH）

得捷:
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3PLH

GT50J121Q中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 240 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

GT50J121Q引脚图与封装图

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