GT50JR22
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
GT50JR22中文资料参数规格
技术参数
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 230 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
长度 15.5 mm
宽度 4.5 mm
高度 20 mm
封装 TO-3
其他
产品生命周期 New Product
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
香港进出口证 NLR
GT50JR22引脚图与封装图 
GT50JR22引脚图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| GT50JR22 | Toshiba 东芝 | IGBT 分立，Toshiba IGBT 分立件和模块，Toshiba 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | 搜索库存 |