GT60M303Q
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
GT60M303Q中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 900 V
额定功率Max 170 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 170000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
GT60M303Q引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| GT60M303Q | Toshiba 东芝 | Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 170000mW 3Pin3+Tab TO-3PL | 搜索库存 |