GT15J311SM,Q
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
GT15J311SM,Q中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 200 ns
额定功率Max 70 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
GT15J311SM,Q引脚图与封装图
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在线购买GT15J311SM,Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| GT15J311SM,Q | Toshiba 东芝 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3Pin3+Tab TO-220FL/SM | 搜索库存 |