GA03IDDJT30-FR4
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GeneSiC Semiconductor
电子元器件分类
GA03IDDJT30-FR4中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 5000 mW
耗散功率Max 5000 mW
封装参数
引脚数 12
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
GA03IDDJT30-FR4引脚图与封装图
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