GA50JT17-247
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GeneSiC Semiconductor
分立器件
GA50JT17-247中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 583W Tc
漏源极电压Vds 1700 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 583W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
GA50JT17-247引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| GA50JT17-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.7kV 100A | 搜索库存 |