GA100JT17-227
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
GA100JT17-227中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 535W Tc
漏源极电压Vds 1700 V
输入电容Ciss 14400pF @800VVds
耗散功率Max 535W Tc
封装参数
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
GA100JT17-227引脚图与封装图
暂无图片
在线购买GA100JT17-227
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| GA100JT17-227 | GeneSiC Semiconductor | Trans Sjt 1700V 160A Sot227 | 搜索库存 |