GL4100E0000F
数据手册.pdfSharp(夏普)
电子元器件分类
GL4100E0000F中文资料参数规格
技术参数
额定功率 2.00 mW
正向电压 1.2 V
波长 950 nm
视角 180°
正向电流 50 mA
正向电流Max 50 mA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Radial
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.8 mm
高度 4 mm
封装 Radial
物理参数
工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
GL4100E0000F引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| GL4100E0000F | Sharp 夏普 | 红外发射源 Thru hole IRED 1mW 950nm | 搜索库存 |