GT50J102
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
GT50J102中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
上升时间 120 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
GT50J102引脚图与封装图
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在线购买GT50J102
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| GT50J102 | Toshiba 东芝 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 200000mW 3Pin3+Tab TO-3PL | 搜索库存 |
替代型号GT50J102
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： GT50J102 品牌： Toshiba 东芝 封装： TO3PLH 200000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 200000mW 3Pin3+Tab TO-3PL | 当前型号 |
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