GT60M303

Toshiba 东芝分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3Pin3+Tab TO-3PLH

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

Fourth generation IGBT

FRD included between emitter and collector

Enhancement mode type

High speed IGBT: tf= 0.25μs TYP.

FRD : trr= 0.7μs TYP.

Low saturation voltage : VCE sat= 2.1V TYP.

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin3+Tab TO-3PLH

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin3+Tab TO-3PLH

Win Source:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

GT60M303中文资料参数规格

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO3PLH

外形尺寸

封装 TO3PLH

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

GT60M303引脚图与封装图

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