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GT60M303
Toshiba 东芝 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3Pin3+Tab TO-3PLH

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

  Fourth generation IGBT

  FRD included between emitter and collector

  Enhancement mode type

  High speed  IGBT: tf= 0.25μs TYP.

                   FRD : trr= 0.7μs TYP.

  Low saturation voltage  : VCE sat= 2.1V TYP.


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin3+Tab TO-3PLH


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin3+Tab TO-3PLH


Win Source:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT


GT60M303中文资料参数规格
封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO3PLH

外形尺寸

封装 TO3PLH

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

GT60M303引脚图与封装图
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