GT50J301

Toshiba 东芝分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 200000mW 3Pin3+Tab TO-3PL

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

MOTOR CONTROL APPLICATIONS

The 3rd Generation

Enhancement−Mode

High Speed : tf= 0.30µs Max.

Low Saturation Voltage : VCE sat= 2.7V Max.

FRD Included Between Emitter and Collector

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-3PL

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3PLH

GT50J301中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200000 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

高度 26 mm

封装 TO-3

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

GT50J301引脚图与封装图

暂无图片

在线购买GT50J301

型号	制造商	描述	购买
GT50J301	Toshiba 东芝	Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 200000mW 3Pin3+Tab TO-3PL	搜索库存

替代型号GT50J301

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： GT50J301 品牌： Toshiba 东芝封装： TO3PLH 200000mW	当前型号	Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 200000mW 3Pin3+Tab TO-3PL	当前型号
型号： IRG4PC50UDPBF 品牌：英飞凌封装： TO-247AC 200000mW	功能相似	INFINEON IRG4PC50UDPBF 单晶体管, IGBT, 55 A, 2 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚	GT50J301和IRG4PC50UDPBF的区别
型号： IRG4PC50WPBF 品牌：英飞凌封装： TO-247AC 200000mW	功能相似	INFINEON IRG4PC50WPBF 单晶体管, IGBT, 55 A, 2.3 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚	GT50J301和IRG4PC50WPBF的区别
型号： IRG4PF50WDPBF 品牌：英飞凌封装： TO-247AC 200000mW	功能相似	INFINEON IRG4PF50WDPBF 单晶体管, IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚	GT50J301和IRG4PF50WDPBF的区别